El 1976, Zumsteg et al. va utilitzar un mètode hidrotermal per fer créixer un fosfat de titanil de rubidi (RbTiOPO₄, conegut com a cristall RTP). El cristall RTP és un sistema ortorròmbic, mmgrup de 2 punts, P_na21 grup espacial, té avantatges complets de gran coeficient electro-òptic, alt llindar de dany lumínic, baixa conductivitat, ampli rang de transmissió, no deliquescent, baixa pèrdua d'inserció i es pot utilitzar per a treballs d'alta freqüència de repetició (fins a 100). kHz), etc. I no hi haurà marques grises sota una forta irradiació làser. En els darrers anys, s'ha convertit en un material popular per preparar interruptors Q electro-òptics, especialment adequat per a sistemes làser d'alta taxa de repetició..

Les matèries primeres de RTP es descomponen quan es fonen i no es poden cultivar amb els mètodes convencionals d'estirament de fosa. Normalment, s'utilitzen fluxos per reduir el punt de fusió. A causa de l'addició d'una gran quantitat de flux a les matèries primeres, això’És molt difícil fer créixer RTP amb gran mida i alta qualitat. L'any 1990 Wang Jiyang i altres van utilitzar el mètode de flux d'autoservei per obtenir un monocristall RTP incolor, complet i uniforme de 15 mm×44 mm×34 mm, i va realitzar un estudi sistemàtic sobre el seu rendiment. El 1992 Oseledchiket al. va utilitzar un mètode de flux d'autoservei similar per fer créixer cristalls RTP amb una mida de 30 mm×40 mm×60 mm i alt llindar de dany làser. El 2002 Kannan et al. utilitza una petita quantitat de MoO₃ (0,002 mol%) com a flux en el mètode de llavor superior per fer créixer cristalls RTP d'alta qualitat amb una mida d'uns 20 mm. El 2010, Roth i Tseitlin van utilitzar llavors de direcció [100] i [010], respectivament, per fer créixer RTP de gran mida mitjançant el mètode de les llavors superiors.

En comparació amb els cristalls KTP els mètodes de preparació dels quals i les propietats electro-òptiques són similars, la resistivitat dels cristalls RTP és de 2 a 3 ordres de magnitud superior (10⁸ Ω·cm), de manera que els cristalls RTP es poden utilitzar com a aplicacions de commutació EO Q sense problemes de danys electrolítics. El 2008 Shaldinet al. va utilitzar el mètode de la llavor superior per fer créixer un cristall RTP d'un sol domini amb una resistivitat d'uns 0,5×10¹² Ω·cm, que és molt beneficiós per als interruptors EO Q amb una obertura clara més gran. El 2015 Zhou Haitaoet al. va informar que els cristalls RTP amb una longitud de l'eix a superior a 20 mm es van cultivar per mètode hidrotermal i la resistivitat era de 10¹¹~10¹² Ω·cm. Com que el cristall RTP és un cristall biaxial, és diferent del cristall LN i el cristall DKDP quan s'utilitza com a commutador EO Q. Un RTP de la parella s'ha de girar 90°en la direcció de la llum per compensar la birrefringència natural. Aquest disseny no només requereix una alta uniformitat òptica del propi cristall, sinó que també requereix que la longitud dels dos cristalls sigui el més propera possible, per adquirir una proporció d'extinció més alta de l'interruptor Q.

Com a excel·lent EO Interruptor Qing material amb freqüència d'alta repetició, cristall RTPs subjecte a la limitació de mida cosa que no és possible per a grans obertura clara (l'obertura màxima dels productes comercials és de només 6 mm). Per tant, la preparació de cristalls RTP amb gran mida i alta qualitat així com el coincidència tècnica de Parells RTP encara necessita gran quantitat de treball de recerca.